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KPEL-M系列低電壓高電流直流電子負(fù)載-天津科億維電氣

電子負(fù)載是通過(guò)控制和調(diào)整跨接在其輸入端的FET功率場(chǎng)效應(yīng)管RDS，似乎將多臺(tái)電子負(fù)載串聯(lián)應(yīng)該沒(méi)有什么大問(wèn)題。如圖2所示，假如我們將兩臺(tái)串聯(lián)的電子負(fù)載都設(shè)置為CC模式，而且設(shè)置為完全相同的電流值，譬如都設(shè)置為10.00A。但實(shí)際上電子負(fù)載不可能是的10.00A，如果其中一臺(tái)實(shí)際為9.99A，而另外一臺(tái)為10.01A。這樣一來(lái)，電子負(fù)載2就不可能達(dá)到其設(shè)置值，因此，它就不停的減小FET的RDS直到0（短路），這樣所有的電壓就全部加載到電子負(fù)載1上使得它過(guò)壓損壞。

　　也有人建議兩臺(tái)電子負(fù)載分別工作于恒流CC模式和恒壓CV模式，而且這似乎可以實(shí)現(xiàn)設(shè)定電壓、電流點(diǎn)的工作狀態(tài)。但是如何讓這兩臺(tái)電子負(fù)載進(jìn)入到設(shè)定的CC及CV工作點(diǎn)？

　　假設(shè)我們先設(shè)定好電子負(fù)載，然后再將負(fù)載連接到被測(cè)電源，設(shè)定于CC模式的電子負(fù)載因?yàn)闆](méi)有任何電流，因此將FET的RDS設(shè)置為0（短路）；而設(shè)定于CV模式的電子負(fù)載因?yàn)闆](méi)有任何電壓，將FET的RDS設(shè)置為+∞

　　（開(kāi)路）。所以在電源接入的瞬間，電源上的所有電壓100V都加載到CV模式的負(fù)載上，就可能損壞。

在CR或CV模式下，負(fù)載可以驅(qū)動(dòng)超過(guò)額定電流的電流，從而觸發(fā)過(guò)電流保護(hù)。過(guò)電壓點(diǎn)略高于此階段電流塊的值。在觸發(fā)過(guò)電流保護(hù)后，狀態(tài)寄存器中的過(guò)電壓(OC)和電流誤差(CE)數(shù)據(jù)位是有用的，并一直保留到復(fù)位。

超過(guò)輸出功率的點(diǎn)設(shè)置為略高于當(dāng)前階段的輸出功率的文檔。發(fā)生輸出電源中斷后，狀態(tài)寄存器中的輸出電源中斷(OP)和輸出電源錯(cuò)誤(PE)數(shù)據(jù)位是有用的，并一直保留到復(fù)位。LOAD(加載)按鈕可重置狀態(tài)選項(xiàng)卡。

小功率直流電子負(fù)載是一種用于模擬電子設(shè)備負(fù)載的電子設(shè)備，主要用于測(cè)試和驗(yàn)證電子設(shè)備的性能和可靠性。小功率直流電子負(fù)載的主要特點(diǎn)包括：
功率小：小功率直流電子負(fù)載的功率一般在幾瓦到幾十瓦之間，適用于測(cè)試和驗(yàn)證小型電子設(shè)備的性能和可靠性。
精度高：小功率直流電子負(fù)載的精度一般在0.1%以?xún)?nèi)，可以準(zhǔn)確模擬電子設(shè)備的負(fù)載特性，從而更好地測(cè)試和驗(yàn)證電子設(shè)備的性能和可靠性。
控制靈活：小功率直流電子負(fù)載的控制方式多樣，可以通過(guò)軟件或硬件控制，靈活模擬各種負(fù)載特性，從而更好地測(cè)試和驗(yàn)證電子設(shè)備的性能和可靠性。
：小功率直流電子負(fù)載的性較高，可以通過(guò)多種安全保護(hù)裝置和控制方式來(lái)保障測(cè)試和驗(yàn)證過(guò)程的安全性。
綜上所述，小功率直流電子負(fù)載具有功率小、精度高、控制靈活和等特點(diǎn)。